以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带功率半导体器件相较于传统的硅基功率半导体器件具有开关速度快、损耗低、耐高温、耐高压等性能优势，是构建新一代能源系统的基础支撑。采用宽禁带功率半导体器件对于提高电力电子变换器频率、效率、功率密度、工作温度等带来巨大机遇，但是也存在众多挑战。目前，宽禁带功率半导体封装集成与应用中还存在很多理论和技术问题，导致宽禁带功率半导体器件的性能还不够理想。

为了推进宽禁带功率半导体封装集成与应用关键技术的研究，《华中科技大学学报(自然科学版)》特邀王智强教授、辛国庆教授为主持人，推出“宽禁带功率半导体封装集成与应用”专刊。热忱欢迎相关领域的专家学者提交高质量的研究论文，展现高水平的学术研究。预计2024年以正刊的形式刊出。

一、征稿范围

凡是未公开发表过的、与“宽禁带功率半导体封装集成与应用”相关的研究综述与研究论文均可投稿，主要包括但不限于：

● 导电、导热、绝缘等封装材料

● 烧结、互连、键合等封装工艺

● 宽禁带功率半导体器件高性能封装结构

● 宽禁带功率半导体器件热管理

● 宽禁带功率半导体器件特性表征与建模

● 宽禁带功率半导体器件驱动、保护与其它辅助电路

● 高频、高效、高功率密度宽禁带电力电子变换器

● 宽禁带功率半导体器件可靠性评估与寿命预测

● 宽禁带电力电子变换器电磁干扰建模与抑制

● 高性能无源元件与磁集成技术

研究综述：该领域近5～10年具有代表性的研究成果的深度总结，全面评述该领域的科学意义、研究现状和发展趋势。综述内容需基于作者（具有高级职称）的专业研究或与之直接相关。

研究论文：报道该领域基础研究及核心技术研究等具有理论性、创新性和重要科学价值的最新科研成果。

二、进度安排

● 截稿时间：2023年10月31日

● 网络首发：2024年3月

● 出版时间：预计2024年

三、专刊主持人

王智强，华中科技大学教授、博士生导师，国家级科技创新人才团队负责人，国家青年人才项目入选者。研究方向包括碳化硅（SiC）/氮化镓（GaN）功率半导体芯片封装与集成、高温/高频/高功率密度电力电子系统等。主持国家级科技创新人才团队项目、国家自然科学基金、企业合作等项目。

辛国庆，华中科技大学教授、博士生导师，国家高层次人才项目入选者。研究方向包括功率电子器件（SiC/GaN）封装材料（包括高导热、绝缘、耐高温封装材料）、宽禁带半导体（SiC/GaN/BN）薄膜生长、器件制备以及模块热管理、二维材料生长、微纳器件制备、微尺度传热和器件热管理、先进半导体制备工艺等。

四、投稿要求

1. 向全国范围内相关研究单位征稿。按照《华中科技大学学报（自然科学版）》编辑部的审稿流程审稿通过后，最终录用的稿件以正刊形式刊登，网上投稿请选择“宽禁带功率半导体封装集成与应用”专辑，投稿栏目选择“能源与动力、电气”。

2. 论文撰写：投稿论文请注意撰写格式规范（参照《华中科技大学学报（自然科学版）》论文格式，网站已提供“稿件格式及示例”，可下载参考），信息完整，内容翔实，具有较高的科学意义和工程价值，且无涉密内容，不少于6000字。

3. 投稿文章未在正式出版物上发表过，也未在其他刊物或会议的审稿过程中，不存在一稿多投现象；保证投稿文章的合法性(无抄袭、剽窃、侵权等不良行为)。

4. 其他事项请参阅学报网站投稿指南。

五、联系编辑

编辑：骆瑾

电话：027-87543916-808

邮箱：luojin1102@163.com